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Toshiba Semiconductor 东芝

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件
替代：
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：6A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
外壳：
封装：TO-220-2L
料号：E3-3386
包装： 管件
参考价格:￥6.949500
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可供数量:咨询
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总额：
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT
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替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：3A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：550mV @ 3A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 40V
丝印：
外壳：
封装：M-FLAT（2.4X3.8）
料号：E3-3614
包装：
参考价格:￥6.949500
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 2A MFLAT
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT
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丝印：
外壳：
封装：US-FLAT（1.25X2.5）
料号：E3-4808
包装：
参考价格:￥6.949500
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:390mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装:
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
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丝印：
外壳：
封装：M-FLAT（2.4X3.8）
料号：E3-5589
包装：
参考价格:￥6.949500
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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丝印：
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料号：E3-6589
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外壳：
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料号：E3-6689
包装：
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二极管类型：标准
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料号：E3-7561
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 700MA USC
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替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：700mA
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：USC
料号：E3-8533
包装：
参考价格:￥6.949500
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现货库存:0
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:390mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:90µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:44pF @ 650V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装:
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丝印：
外壳：
封装：USC
料号：E3-8534
包装：
参考价格:￥6.949500
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:390mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:90µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:44pF @ 650V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：3A
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5mA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：M-FLAT（2.4X3.8）
料号：E3-12554
包装：
参考价格:￥6.949500
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可供数量:咨询
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:390mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:90µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:44pF @ 650V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:400mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：3A
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丝印：
外壳：
封装：M-FLAT（2.4X3.8）
料号：E3-12555
包装：
参考价格:￥6.949500
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:管件 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:390mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:90µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:44pF @ 650V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:400mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：3A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：450mV @ 3A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：500µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：M-FLAT（2.4X3.8）
料号：E3-12556
包装：
参考价格:￥6.949500
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMS03(TE12L)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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